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BAT41

Diode BAT41, DO-35 ( SOD27 ), 0.1A, 0.75A, 0.1A, 0.1A, DO-35, 100V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Courant redressé moyen par diode: 0.1A. If [A]: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 2pF. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 750mA. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.1uA..20uA. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. IRM (max): 20uA. IRM (min): 0.1uA. Ifsm [A]: 0.75A. Information: -. MSL: n/a. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 750mAp t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: BAT4. Temps de réaction: 5ns. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 0.45V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Tension de seuil Vf (max): 0.45V. Tension de seuil Vf (min): 0.4V. Tension de seuil: 450mV, 0.45V. Tension inverse maxi: 100V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Type de montage: THT. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.45V @ 1mA...

USL1M

FE1D

Diode FE1D, 1A, 200V. IF(AV): 1A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GL...

MBR1660

Diode MBR1660, 16A, 150A, TO-220, TO-220AC, 60V. IF(AV): 16A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 60V. Cj: 500pF. Diode Schottky?: Schottky. IRM (max): 10mA. IRM (min): 0.5mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 'Barrier Rectifiers'. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.65V...

BAW56LT1G

Diode BAW56LT1G, SOT-23, TO-236AB, 0.25A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. If [A]: 0.25A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30nA..150uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 90V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

MBR3045PTG

Diode MBR3045PTG, SOT-93, 2x15A. Boîtier: SOT-93. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 2x15A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..100mA. Famille de composants: double diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 45V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.6V @ 20A...

D42-40-08-NO

Diode D42-40-08-NO, 40A, 600A, DO-5, DO-5P, 800V. IF(AV): 40A. IFSM: 600A. Boîtier: DO-5. Boîtier (selon fiche technique): DO-5P. VRRM: 800V. Filetage: M6. Fonction: diode de puissance. Montage/installation: à visser. Spec info: 600App/10ms. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

SGL1-40

BY550-400

Diode BY550-400, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 400V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. IRM (max): 5uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V...

SB540

D52-100-06-RO

Diode D52-100-06-RO, DO-205, DO-205AC. Boîtier: DO-205. Boîtier (selon fiche technique): DO-205AC. Remarque: boîtier fileté - Anode (courant élevé). Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

SB2100

Diode SB2100, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( 6.3x3.0mm ), 100V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 100V. Diode Schottky?: Schottky. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: IFSM--50Ap/10mS. Tension de seuil Vf (max): 0.79V...

S2B

SKN240-12

Diode SKN240-12, E15 (M16), DO-205AB, 240A. Boîtier: E15 (M16). Boîtier (norme JEDEC): DO-205AB. If [A]: 240A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 60mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 6000A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +180°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.4V @ 240A...

S2L20U

Diode S2L20U, 1.5A, 200V. IF(AV): 1.5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium...

BAS40-06

Diode BAS40-06, 0.2A, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Marquage sur le boîtier: 46. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: anode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns...

150EBU02

Diode 150EBU02, 150A, 1600A, POWERTAB, 200V. IF(AV): 150A. IFSM: 1600A. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. VRRM: 200V. Cj: 180pF. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.13V. Tension de seuil Vf (min): 0.99V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

BS890

Diode BS890, 8A, 155A, DO-201, DO-201AD ( 7.5x5.4mm ), 90V. IF(AV): 8A. IFSM: 155A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Fonction: Diode de redressement à barrière Schottky, sorties axiales. IRM (max): 20mA. IRM (min): 5mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.83V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V...

FR155

Diode FR155, DO-15, DO-15, 600V. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 60App/8.3ms...

BAV199

Diode BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. If [A]: 0.16A. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Cj: 2pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5nA...80nA. Date de production: 2014/49. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: double diode à faible fuite. IRM (max): 80nA. IRM (min): 5nA. Ifsm [A]: 2A. Marquage sur le boîtier: JYs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 85V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Trr Diode (Min.): 0.6us. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 3us. [V]: 1V @ 10mA...

SK24AR2G

Diode SK24AR2G, SMA, DO-214AC, 2A. Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 500uA..5mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 50A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +125°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.5V @ 2A...

FR154

Diode FR154, DO-15, DO-15, 400V. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 60App/8.3ms...

SR106

Diode SR106, 1A, DO-41, DO-41 ( 2.5x4.8mm ), 60V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 60V. Diode Schottky?: Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER...

BY252

Diode BY252, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 110A. Nombre de bornes: 2. RoHS: non. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 3A...