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MBR20100CT

Diode MBR20100CT, TO-220AB, TO-220AB, 2x10A. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. If [A]: 2x10A. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 150A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 50uA..1mA. Courant: 20A. Famille de composants: double diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 130A. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 0.75V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Tension de seuil: 750mV, 0.75V. Tension inverse maxi: 100V. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.85V @ 10A...

1N5406

Diode 1N5406, DO-27, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 5us. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

SS34FA

Diode SS34FA, 3A, 80A, SOD-123, 425AB SMA (3.8x1.9mm), 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): 425AB SMA (3.8x1.9mm). VRRM: 40V. Cj: 152pF. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. IRM (max): 60mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: 34L. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 34L. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. Trr Diode (Min.): 12 ns...

MBR40200PT

Diode MBR40200PT...

BAT62-03W

Diode BAT62-03W, 20mA, SOD-323, SOD-323, 40V. IF(AV): 20mA. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323. VRRM: 40V. Diode Schottky?: Schottky. Marquage sur le boîtier: -. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: IFSM 0.75App/10ms...

BAS16WT

Diode BAS16WT...

SB120

STPS8H100D

Diode STPS8H100D, 8A, TO-220, TO-220AC, 100V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 100V. Diode Schottky?: Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: 250App/10ms. RoHS: oui...

BYV34-500-127

Diode BYV34-500-127, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AB, SOT78, 500V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: commutation rapide. Marquage sur le boîtier: BYV34-500. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Unité de conditionnement: 50...

BY12

Diode BY12, 0.5A, 30A, 7.3x22mm, 12000V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Dimensions: 7.3x22mm. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 10V. Trr Diode (Min.): 1500 ns...

SS24A

Diode SS24A, DO214AC, SMA. Boîtier: DO214AC, SMA. Courant: 2A. Montage/installation: SMD. Tension de conduction (tension de seuil): 500mV. Tension inverse maxi: 40V...

BAT54CT

Diode BAT54CT...

SK2060CD2

Diode SK2060CD2, D²-PAK, TO-263, 2x10A. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. If [A]: 2x10A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 300uA. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 150A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 10A...

BAV74-235

Diode BAV74-235...

1N4933RLG

Diode 1N4933RLG, DO41. Boîtier: DO41. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation rapide. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 150ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.3V. Tension inverse maxi: 50V. Type de diode: diode de redressement...

SMS260

Diode SMS260, MELF, DO-213AB, 2A. Boîtier: MELF. Boîtier (norme JEDEC): DO-213AB. If [A]: 2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 500uA..10mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 55A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 2A...

STTH802FP

Diode STTH802FP, 8A, 100A, TO-220FP, TO-220FPAC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: diodes de redressement ultra-rapides (min 17ns, max 30ns). Marquage sur le boîtier: STTH802. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Unité de conditionnement: 50...

HER105G

Diode HER105G...

RS2K

Diode RS2K, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 800V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 500 ns...

MBR2045CT

Diode MBR2045CT, TO-220, 10A/diode, TO-220AB, 45V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 10A/diode. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 45V. Conditionnement: tubus. Courant d'impulsion max.: 200A. Courant: 20A. Diode Schottky?: Schottky. Double: double. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: total 20A, IFSM 150App. Structure diélectrique: Cathode commune. Tension de conduction (tension de seuil): 0.82V. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky...

1N4002

E1D

Diode E1D...

MBR0540T3G

Diode MBR0540T3G, SOD-123, 0.5A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.5A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA..5mA. Famille de composants: diode Schottky pour petits signaux, montage CMS. Ifsm [A]: 5.5A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.51V @ 500mA...

SS36-E3

Diode SS36-E3, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Cj: -. Equivalences: SS36-E3/9AT. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. IRM (max): 10mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS36. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. Trr Diode (Min.): -...