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Nous vous proposons une sélection de 541 produits pouvant correspondre à votre recherche de "connecteur-alimentation-dc" (Diodes standard et de redressement)

STTH30R06W

STTH30R06W

Diode STTH30R06W, 30A, 300A, TO-247, TO-247, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.85V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

4.57€
Quantité en stock: 14
STTH802FP

STTH802FP

Diode STTH802FP, 8A, 100A, TO-220FP, TO-220FPAC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: diodes de redressement ultra-rapides (min 17ns, max 30ns). Marquage sur le boîtier: STTH802. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Unité de conditionnement: 50...

1.21€
Quantité en stock: 21
SUF4003

SUF4003

Diode SUF4003, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Conditionnement: rouleau. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Unité de conditionnement: 5000...

0.0894€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 712
Minimum: 10
SUF4004

SUF4004

Diode SUF4004, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Conditionnement: rouleau. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Unité de conditionnement: 5000...

0.11€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 987
Minimum: 5
SUF4007

SUF4007

Diode SUF4007, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Conditionnement: rouleau. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Unité de conditionnement: 5000...

0.0907€
Quantité en stock: 364
Minimum: 10
TSSW3U45

TSSW3U45

Diode TSSW3U45, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 45V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Cj: -. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. IRM (min): -. Marquage sur le boîtier: W3U45. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.47V. Tension de seuil Vf (min): 0.33V. Trr Diode (Min.): -...

0.50€
Quantité en stock: 150
TSSW3U60

TSSW3U60

Diode TSSW3U60, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Cj: -. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. IRM (min): -. Marquage sur le boîtier: W3U60. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.58V. Tension de seuil Vf (min): 0.39V. Trr Diode (Min.): -...

1.49€
Quantité en stock: 188
UF3005M

UF3005M

Diode UF3005M, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Fonction: Ultra fast switching. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

0.82€
Quantité en stock: 100
UF5405

UF5405

Diode UF5405, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 9.2x5.3mm ), 500V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Cj: 50pF. Fonction: diode de redressement ultra rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Trr Diode (Min.): 70 ns...

0.19€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 169
UG2D

UG2D

Diode UG2D, 2A, 80A, DO-15, DO-15 ( 3.5x7.5mm ), 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 35pF. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80A/8.3ms. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V. Tr: 15 ns...

0.68€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 89
US1M

US1M

Diode US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Conditionnement: rouleau. Equivalences: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Unité de conditionnement: 5000...

0.0908€
+889 rapidement
Quantité en stock: 4661
Minimum: 10
VS-12F120

VS-12F120

Diode VS-12F120, 12A, 265A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 12A. IFSM: 265A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1200V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 12mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: Fixation filetée. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M5. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.77V...

10.27€
Quantité en stock: 99
VS-60APU04-N3

VS-60APU04-N3

Diode VS-60APU04-N3, 60A, 600A, TO-247, TO-247AC 3L. IF(AV): 60A. IFSM: 600A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC 3L. Cj: 50pF. Conditionnement: tube en plastique. Equivalences: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: brochage 60EPUxx 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Unité de conditionnement: 25...

5.30€
Quantité en stock: 158
WNS40100CQ

WNS40100CQ

Diode WNS40100CQ, 20A, 165A, TO-220, TO-220AC-3P, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 165A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Fonction: double diode Schottky de puissance. IRM (max): 30mA. IRM (min): 50uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.71V. Tension de seuil Vf (min): 0.48V...

1.38€
Quantité en stock: 87