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STPS20H100CFP

Diode STPS20H100CFP, 20A, 250A, TO-220FP, TO-220FP, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. VRRM: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. IRM (max): 2mA. IRM (min): 4.5uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: IFSM--250Ap. RoHS: oui. Spec info: tension d'isolation 2000VDC, capacité 45pF. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.56V. Unité de conditionnement: 50...

STPS20H100CT

Diode STPS20H100CT, 10A, 250A, TO-220, TO-220AB, 100V. IF(AV): 10A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. IRM (max): 6mA. IRM (min): 4.5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.56V. Unité de conditionnement: 50...

STPS2H100

Diode STPS2H100, DO-41, 2A, 10A, 50A / 10mS, DO-41, 100V. Boîtier: DO-41. IF(AV): 2A. IF(RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 100V. Courant d'impulsion max.: 50A. Courant: 10A. Diode Schottky?: Schottky. Fonction: 'High Voltage Power Schottky'. IRM (max): 5mA. IRM (min): 1uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Tension de conduction (tension de seuil): 0.65V. Tension de seuil Vf (max): 0.92V. Tension de seuil Vf (min): 0.65V. Tension de seuil: 650mV, 0.65V. Tension inverse maxi: 100V. Type de diode: diode de redressement Schottky...

STPS2L40U

Diode STPS2L40U, 2A, 75A, DO-214, SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ), 40V. IF(AV): 2A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 40V. Fonction: diode de redressement Schottky de puissance. faible chute de tension. IRM (max): 80mA. IRM (min): 220uA. Marquage sur le boîtier: GD4. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS GD4. RoHS: oui. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.39V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V...

STPS3045CT

Diode STPS3045CT, 30A, 220A, TO-220, TO-220AB, 45V. IF(AV): 30A. IFSM: 220A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 45V. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 11mA. IRM (min): 200uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.84V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V...

STPS30H100CT

Diode STPS30H100CT, 15A, 250A, TO-220, TO-220AB, 100V. IF(AV): 15A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. IRM (max): 6mA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.74V. Tension de seuil Vf (min): 0.64V. Unité de conditionnement: 50...

STPS5H100B

Diode STPS5H100B, 5A, 75A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252A ( Dpak ), 100V. IF(AV): 5A. IFSM: 75A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252A ( Dpak ). VRRM: 100V. Diode Schottky?: Schottky. Fonction: 'High Voltage Power Schottky'. IRM (max): 4.5mA. IRM (min): 3.5uA. Marquage sur le boîtier: S5H100. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). RoHS: oui. Spec info: 75App/10ms. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.57V...

STPS5L40

Diode STPS5L40, 5A, 150A, DO-201, DO-201AD, 40V. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 40V. Diode Schottky?: Schottky. Fonction: Redresseur de puissance Schottky. IRM (max): 0.75mA. IRM (min): 0.2mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 150App / 10ms. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V...

STPS60170CT

Diode STPS60170CT, 30A, 270A, TO-220, TO-220AB, 170V. IF(AV): 30A. IFSM: 270A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 170V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Spec info: IFSM--270App, t=10mS. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.97V. Unité de conditionnement: 50...

STPS8H100D

Diode STPS8H100D, 8A, TO-220, TO-220AC, 100V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 100V. Diode Schottky?: Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: 250App/10ms. RoHS: oui...

STTA1206DIRG

Diode STTA1206DIRG, 12A, 110A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 12A. IFSM: 110A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110App/10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. Trr Diode (Min.): 28 ns...

STTA506F

Diode STTA506F, 5A, 55A, TO-220FP, ISOWATT TO-220AC, 600V. IF(AV): 5A. IFSM: 55A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Fonction: Ultra-fast diode. IRM (max): 0.75mA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. Trr Diode (Min.): 20 ns...

STTA512D

Diode STTA512D, 5A, 45A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 5A. IFSM: 45A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Fonction: diode ultra-rapide, haute tension. IRM (max): 0.3mA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--45Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.35V. Trr Diode (Min.): 45 ns...

STTH1210D

STTH12R06D

STTH12R06DIRG

STTH1R02

Diode STTH1R02, DO41. Boîtier: DO41. Courant d'impulsion max.: 60A. Courant: 30A. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra-rapide. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 15ns. Tension de conduction (tension de seuil): 0.7V. Tension inverse maxi: 200V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de redressement...

STTH20003TV1

Diode STTH20003TV1, 2x100A, 100A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP, 300V. IF(AV): 2x100A. IFSM: 100A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP. VRRM: 300V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: Diode de redressement haute tension ultrarapide double. IRM (max): 2mA. IRM (min): 200uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V. Trr Diode (Min.): 55 ns. Unité de conditionnement: 10...

STTH2003CFP

Diode STTH2003CFP, 10A, 110A, TO-220FP, TO-220F, 300V. IF(AV): 10A. IFSM: 110A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 300V. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IRM (max): 300uA. IRM (min): 30uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. Trr Diode (Min.): 25 ns...

STTH2003CG

Diode STTH2003CG, 10A, 110A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 300V. IF(AV): 10A. IFSM: 110A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IRM (max): 300uA. IRM (min): 30uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. Trr Diode (Min.): 25 ns...

STTH2003CT

Diode STTH2003CT, 10A, 110A, TO-220, TO-220AB, 300V. IF(AV): 10A. IFSM: 110A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 300V. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IRM (max): 300uA. IRM (min): 20uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. Trr Diode (Min.): 25 ns...

STTH2R06

Diode STTH2R06, 2A, 40A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Date de production: 201506. Fonction: AXIAL TURBO 2 DIODE. IRM (max): 12uA. IRM (min): 2uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--40App, t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 35 ns...

STTH30R03CG

Diode STTH30R03CG, 15A, 60.4k Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 300V. IF(AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. VRRM: 300V. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 20 ns...

STTH30R06CW

Diode STTH30R06CW, 15A, 60.4k Ohms, TO-247, TO-247, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS. Structure diélectrique: Cathode commune. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 20 ns...