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1N4448WS

Diode 1N4448WS...

1N4448WT

Diode 1N4448WT...

1N4933RLG

Diode 1N4933RLG, DO41. Boîtier: DO41. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation rapide. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 150ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1.3V. Tension inverse maxi: 50V. Type de diode: diode de redressement...

1N5394

Diode 1N5394, 1.5A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.3x6.4mm ), 300V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 300V. Cj: 20pF. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

1N5396

Diode 1N5396, 1.5A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.3x6.4mm ), 500V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Cj: 20pF. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

1N5399

Diode 1N5399, 1.5A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.3x6.4mm ), 1000V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

1N5399S

Diode 1N5399S...

1N5401

Diode 1N5401, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5402

1N5404

Diode 1N5404, DO-27, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 400V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 40pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 180A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Courant de fuite: 5uA. Courant: 30A. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 1.5us. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.2V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.2V. Tension inverse maxi: 400V. Trr Diode (Min.): 5us. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5405

Diode 1N5405, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 500V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5406

Diode 1N5406, DO-27, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 5us. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5406H

Diode 1N5406H, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: entraxe 15mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 5us...

1N5407

Diode 1N5407, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 800V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5408

1N5711

Diode 1N5711, 15mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 70V. IF(AV): 15mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Distance entre connexions (pas): 4.5x2mm. Fonction: détection VHF/UHF. IRM (max): 0.2uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode SCHOTTKY. RoHS: oui. Spec info: f=1MHz 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V...

1N5711W-7-F

Diode 1N5711W-7-F, 15mA, SOD-123, SOD123, 70V. IF(AV): 15mA. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Dimensions: 2.85x1.7x1.35mm. Fonction: détection VHF/UHF. IRM (max): 0.2uA. Marquage sur le boîtier: SA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Diode SCHOTTKY. RoHS: oui. Spec info: f=1MHz 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V...

1N5817

Diode 1N5817, DO-204, 1A, 25A, DO-204AL ( 5.2x2.7mm ), 20V. Boîtier: DO-204. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 5.2x2.7mm ). VRRM: 20V. Cj: 110pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.45V. Tension de seuil: 450mV. Tension inverse maxi: 20V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement Schottky...

1N5818

Diode 1N5818, DO-41, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 30 v. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 30 v. Cj: 110pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Fonction: diode de redressement Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Tension de seuil: 550mV. Tension inverse maxi: 30V. Type de diode: diode de redressement Schottky...

1N5819

Diode 1N5819, DO-41, DO-204AL, 1A, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 40V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AL. IF(AV): 1A. If [A]: 1A. IFSM: 25A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 55pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..10mA. Courant: 1A. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Fonction: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 40A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.6V. Tension de seuil: 600mV. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.6V @ 1A...

1N5819HW-7-F

Diode 1N5819HW-7-F, 1A, 25A, SOD-123, SOD123 ( 2.85x1.7mm ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 50pF. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 1.5mA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SL. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Puissance: 450mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.32V...

1N5820

Diode 1N5820, DO201. Boîtier: DO201. Courant d'impulsion max.: 15A. Courant: 3A. Montage/installation: THT. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Tension inverse maxi: 20V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement Schottky...

1N5822

Diode 1N5822, DO-27, 3A, 80A, 3A, DO-27 ( 9.6x5.6mm ), 40V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.6x5.6mm ). VRRM: 40V. Cj: 250pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 80A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2mA..20mA. Courant: 3A. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.475V. Tension de seuil: 530mV. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.95V @ 3A...

1N5822-SS34

Diode 1N5822-SS34, DO214AC, SMA. Boîtier: DO214AC, SMA. Courant d'impulsion max.: 70A. Courant: 3A. Montage/installation: SMD. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Tension de conduction (tension de seuil): 0.5V. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky...