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30CPQ150PBF

Diode 30CPQ150PBF, SOD-81, 1A. Boîtier: SOD-81. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..10mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 25A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +125°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.6V @ 1A...

30CTQ045S

Diode 30CTQ045S, D²-PAK, TO-263, 2x15A. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. If [A]: 2x15A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 50uA..15mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 265A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 45V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.62V @ 15A...

30HFU600

40EPS16PBF

Diode 40EPS16PBF, TO-247AC, 40A. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 40A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.1mA..1mA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 475A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.6 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 40A...

40HFR10

Diode 40HFR10, DO-5 (1/4-28 UNF-2A), DO-203AB, 40A. Boîtier: DO-5 (1/4-28 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AB. If [A]: 40A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 15mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 570A. Nombre de bornes: 2. RoHS: non. Température maxi: +190°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.3V @ 125A...

70HFLR-100-S-05

70HFR140

Diode 70HFR140, DO-5 (1/4-28 UNF-2A), DO-203AB, 70A. Boîtier: DO-5 (1/4-28 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AB. If [A]: 70A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 4.5mA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 1200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.4 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.46V @ 220A...

85HFR120

Diode 85HFR120, DO-5 (1/4-28 UNF-2A), DO-203AB, 85A. Boîtier: DO-5 (1/4-28 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AB. If [A]: 85A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 9mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 1700A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +180°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 5A...

85HFR80

Diode 85HFR80, DO-5 (1/4-28 UNF-2A), DO-203AB, 85A. Boîtier: DO-5 (1/4-28 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AB. If [A]: 85A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 9mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 1700A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +180°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 800V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 267A...

8TQ100PBF

Diode 8TQ100PBF, TO-220AC, TO-220AC, 8A. Boîtier: TO-220AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AC. If [A]: 8A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.55mA..7mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 850A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.72V @ 8A...

B540C-13-F

Diode B540C-13-F, SMC, DO-214AB, 5A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. If [A]: 5A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..10mA. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Ifsm [A]: 100A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.55V @ 5A...

B560C-13-F

Diode B560C-13-F, SMC, DO-214AB, 5A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. If [A]: 5A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..10mA. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Ifsm [A]: 100A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 5A...

BA158

BAQ333-TR

Diode BAQ333-TR, MICROMELF, 0.2A. Boîtier: MICROMELF. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5nA..1nA. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Ifsm [A]: 2A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1V @ 100mA...

BAR43AFILM

Diode BAR43AFILM, SOT-23, 0.1A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA..100uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 0.75A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.45V @ 15mA...

BAR43C

Diode BAR43C, SOT-23, 0.1A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant d'impulsion max.: 750mA, 0.75A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA..100uA. Courant: 200mA, 0.1A, 0.2A. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 0.75A. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Puissance: 290mW. RoHS: oui. Temps de réaction: 5ns. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension inverse maxi: 30V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.45V @ 15mA...

BAS16-215

Diode BAS16-215, SOT-23, 0.215A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.215A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

BAS16J

Diode BAS16J, SOD-323F, 0.25A. Boîtier: SOD-323F. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.25A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 50mA...

BAS21E6327

Diode BAS21E6327, SOT-23, TO-236AB, 0.25A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. If [A]: 0.25A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..100uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. [V]: 1.25V @ 200mA...

BAS385

Diode BAS385, MICROMELF, 0.2A. Boîtier: MICROMELF. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2.3uA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 5A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.4V @ 10mA...

BAS70-04LT1G

Diode BAS70-04LT1G, SOT-23, 0.07A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.07A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..10uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 0.1A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 10mA...

BAS70-05

Diode BAS70-05, SOT-23, 0.07A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.07A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..10uA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 0.1A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 10mA...

BAS70-06-215

Diode BAS70-06-215, SOT-23, 0.07A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.07A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..10uA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 0.1A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 10mA...

BAS70-07

Diode BAS70-07, SOT-143, 0.07A. Boîtier: SOT-143. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.07A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100nA..10uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 0.1A. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.750V @ 10mA...