Rechercher "7-00-HC49"

HFA15TB60PBF

IDH20G65C6XKSA1

Diode IDH20G65C6XKSA1...

MBR3045PT

Diode MBR3045PT, 30A, 250A, TO-247, TO-247AD, 45V. IF(AV): 30A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 45V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 60mA. IRM (min): 1mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.72V. Tension de seuil Vf (min): 0.6V. Unité de conditionnement: 30...

MRA4007T3G

Diode MRA4007T3G, SMA, 1A. Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA..50uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 30A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

P600B

Diode P600B, 6A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 6A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 450A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1V @ 5A...

RS2K

Diode RS2K, 1.5A, 50A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ), 800V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 500 ns...

S2L20U

Diode S2L20U, 1.5A, 200V. IF(AV): 1.5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium...

S5M

Diode S5M, 5A, 180A, DO-214, SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 180A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Fonction: Redressement secteur 50/60 Hz. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: S5M. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -50...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 1500 ns...

SD103AW-7-F

Diode SD103AW-7-F, SOD123. Boîtier: SOD123. Capacité: 28pF. Courant d'impulsion max.: 1.5A. Courant: 0.35A. Montage/installation: SMD. Puissance: 367mW. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 10ns. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky...

SM4001

Diode SM4001, MELF, DO-213AB, 1A. Boîtier: MELF. Boîtier (norme JEDEC): DO-213AB. If [A]: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Ifsm [A]: 100A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 50V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

SMS260

Diode SMS260, MELF, DO-213AB, 2A. Boîtier: MELF. Boîtier (norme JEDEC): DO-213AB. If [A]: 2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 500uA..10mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 55A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 2A...

SS34BF

Diode SS34BF...

SS36-E3

Diode SS36-E3, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Cj: -. Equivalences: SS36-E3/9AT. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. IRM (max): 10mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS36. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. Trr Diode (Min.): -...

SS8P6C-M3-86A

Diode SS8P6C-M3-86A, TO-277A, 2x4A. Boîtier: TO-277A. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 2x4A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..10mA. Famille de composants: double diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 4A...

STPS20H100CFP

Diode STPS20H100CFP, 20A, 250A, TO-220FP, TO-220FP, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. VRRM: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. IRM (max): 2mA. IRM (min): 4.5uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: IFSM--250Ap. RoHS: oui. Spec info: tension d'isolation 2000VDC, capacité 45pF. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.56V. Unité de conditionnement: 50...

STTH12R06DIRG

STTH1R02Q

MBR1545CT

Diode MBR1545CT, TO-220, 7.5A, 75A, TO-220AB, 45V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 7.5A. IFSM: 75A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 45V. Fonction: diode pour alimentation à découpage, double, Schottky. IRM (max): 15mA. IRM (min): 0.1mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms). Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.84V. Tension de seuil Vf (min): 0.57V...

MBR1560CT

Diode MBR1560CT, TO-220, 7.5A, TO-220AB, 2x7.5A, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 7.5A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. If [A]: 2x7.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 60V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 150A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..50mA. Courant: 15A. Diode Schottky?: Schottky. Double: double. Famille de composants: double diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Remarque: 15A/150App. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 0.84V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Tension de seuil: 840mV, 0.84V. Tension inverse maxi: 60V. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.75V @ 7.5A...

MBR745

MBR760

BY12

Diode BY12, 0.5A, 30A, 7.3x22mm, 12000V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Dimensions: 7.3x22mm. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 10V. Trr Diode (Min.): 1500 ns...

BY16

Diode BY16, 0.3A, 0.3A, 30A, 7.3x22mm, 16000V. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 0.3A. If [A]: 0.3A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. VRRM: 16000V. Cj: 1pF. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25uA. Dimensions: 7.3x22mm. Famille de composants: diode de redressement haute tension. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Ifsm [A]: 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 16 kV. Tension de seuil Vf (max): 15V. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 15V @ 0.3A...

20SQ045-3G

Diode 20SQ045-3G, DO-201, 20A, 310A, DO-201AD ( 7.5x5.4mm ), 45V. Boîtier: DO-201. IF(AV): 20A. IFSM: 310A. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Vrms: 45V. Cj: 720pF. Courant d'impulsion max.: 310A. Courant: 20A. Fonction: Schottky Barrier Rectifier Diode. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: THT. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V. Tension inverse maxi: 45V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement Schottky...