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CL40M45

CL40M45

Diode CL40M45, DO-214, DO-214AA, 40mA, 0.04A, SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ), 45V. Boîtier: DO-214. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. IF(AV): 40mA. If [A]: 0.04A. Boîtier (selon fiche technique): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: -. Famille de composants: Diode au silicium. Fonction: Circuit pilote LED 40mA/45V. Ifsm [A]: 0.046A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: commande de LED à courant constant. Spec info: pour une dissipation de 1W sans refroidissement, max 25V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 10..90V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: -...

0.45€
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CTB34

CTB34

Diode CTB34, 15A, 150A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 15A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Fonction: diode Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Trr Diode (Min.): 100 ns...

2.26€
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CTB34M

CTB34M

Diode CTB34M, 30A, 300A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Fonction: diode Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Trr Diode (Min.): 100 ns...

3.28€
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CTX12SL

CTX12SL

Diode CTX12SL, 5A, TO-220, TO-220, 200V. IF(AV): 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V. Double: double. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Ifsm--50A10mS. Spec info: IFSM--50A t=10mS. Structure diélectrique: Cathode commune...

1.01€
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D-BY228G

D-BY228G

Diode D-BY228G, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 80A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.5 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 2us. [V]: 1.3V @ 5A...

0.76€
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D22-20-06-NO

D22-20-06-NO

Diode D22-20-06-NO, 20A, 275A, DO-4, DO-4P, 600V. IF(AV): 20A. IFSM: 275A. Boîtier: DO-4. Boîtier (selon fiche technique): DO-4P. VRRM: 600V. Filetage: M5. Fonction: diode de puissance. Montage/installation: à visser. Poids: 6g. Spec info: 275App/10ms. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

8.02€
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D22-20-06-RO

D22-20-06-RO

Diode D22-20-06-RO, 20A, 275A, DO-4, DO-4P, 600V. IF(AV): 20A. IFSM: 275A. Boîtier: DO-4. Boîtier (selon fiche technique): DO-4P. VRRM: 600V. Filetage: M5. Fonction: diode de puissance. Montage/installation: à visser. Poids: 6g. Spec info: 275App/10ms. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

8.02€
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D42-40-08-NO

D42-40-08-NO

Diode D42-40-08-NO, 40A, 600A, DO-5, DO-5P, 800V. IF(AV): 40A. IFSM: 600A. Boîtier: DO-5. Boîtier (selon fiche technique): DO-5P. VRRM: 800V. Filetage: M6. Fonction: diode de puissance. Montage/installation: à visser. Spec info: 600App/10ms. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

14.41€
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D42-40-08-RO

D42-40-08-RO

Diode D42-40-08-RO, 40A, 600A, DO-5, DO-5P, 800V. IF(AV): 40A. IFSM: 600A. Boîtier: DO-5. Boîtier (selon fiche technique): DO-5P. VRRM: 800V. Filetage: M6. Fonction: diode de puissance. Montage/installation: à visser. Spec info: 600App/10ms. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

12.87€
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D6025LTP

D6025LTP

Diode D6025LTP, 15.9A, 300A, TO-220FP, TO-220FP-3, 600V. IF(AV): 15.9A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: 'Fast Recovery Rectifiers'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Température: +125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Trr Diode (Min.): 4us. Unité de conditionnement: 50...

3.39€
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D8020L

D8020L

Diode D8020L, 20A, 255A, TO-220, TO-220L, 800V. IF(AV): 20A. IFSM: 255A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220L. VRRM: 800V. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifiers. IRM (max): 500uA. IRM (min): 20uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V. Trr Diode (Min.): 4us...

5.06€
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D8025L

D8025L

Diode D8025L, 25A, 350A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 800V. IF(AV): 25A. IFSM: 350A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Fonction: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier TO220 isolé. RoHS: oui. Spec info: 350Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V. Trr Diode (Min.): 4us...

4.29€
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DD1200

DD1200

Diode DD1200, 20mA, 500mA, 3x12mm, 12000V. IF(AV): 20mA. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): 3x12mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Dimensions: 3x12mm. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): -. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 40V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

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DD16000

DD16000

Diode DD16000, 20mA, 500mA, 3x12mm, 16000V. IF(AV): 20mA. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): 3x12mm. VRRM: 16000V. Cj: 1.8pF. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Dimensions: 3x12mm. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): -. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 40V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

1.05€
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DD1800

DD1800

Diode DD1800, D3x12mm, 0.02A. Boîtier: D3x12mm. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.02A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 3A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Courant: 0.3A. Famille de composants: Diode au silicium. Ifsm [A]: 3A. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 150ns. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 40V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 18 kV. Tension inverse maxi: 18kV. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 150 ns. [V]: 40V @ 3A...

1.01€
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DD600

DD600

Diode DD600, D2.5x6.5mm, 0.02A. Boîtier: D2.5x6.5mm. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.02A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Famille de composants: Diode au silicium. Ifsm [A]: 3A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 6 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 150 ns. [V]: 40V @ 3A...

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DF20LC30

DF20LC30

Diode DF20LC30, 20A, 180A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 300V. IF(AV): 20A. IFSM: 180A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. VRRM: 300V. Cj: 90pF. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. Marquage sur le boîtier: 20LC30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle). Structure diélectrique: Cathode commune. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 30 ns...

1.13€
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DGP-30

DGP-30

Diode DGP-30, 3A, 100A, DO-201, DO-201AD, 1500V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 1500V. Cj: 40pF. Fonction: DIODE-RECTIFIER. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: DGP30L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 20us...

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