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MURS160T3G

Diode MURS160T3G, 1A, 35A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diode Tff(25°C): 50 ns. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: U1J. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U1J. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

MURS320T3G

Diode MURS320T3G, 3A, 75A, DO-214, SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U3D. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V. Trr Diode (Min.): 25 ns...

MURS360

Diode MURS360, 3A, 75A, DO-214, SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S R6. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

MURS360B

Diode MURS360B, 3A, 100A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S, R6. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

P1000M

P2000M

Diode P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. Boîtier: R-6. IF(AV): 20A. Courant redressé moyen par diode: 20A. IFSM: 500A. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Configuration des diodes: indépendant. IRM (max): -. IRM (min): 10uA. Information: -. MSL: -. Marquage sur le boîtier: P2000M. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: THT...

P600K

P600S

Diode P600S, 6A, 400A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1200V. IF(AV): 6A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A12. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 1500 ns...

PMEG6010CEJ

Diode PMEG6010CEJ, 1A, 10A, SOD-323, SOD-323F, 60V. IF(AV): 1A. IFSM: 10A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323F. VRRM: 60V. Fonction: diode de redressement Schottky (série Mega). Marquage sur le boîtier: EQ. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.66V. Tension de seuil Vf (min): 0.21V...

PR1504

Diode PR1504, 1.5A, 50A, DO-41, DO-41 ( 2.7x5.0mm ), 400V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

PS1010RS

Diode PS1010RS, 30A, A-405 (5.2x2.7mm), 1000V. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): A-405 (5.2x2.7mm). VRRM: 1000V. Cj: -. Fonction: commutation rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 500 ns...

PSD68-12

Diode PSD68-12. Assemblage mécanique: à visser. Vis. Connexions électriques: diamètre connexion 0.75mm. Courant d'impulsion max.: 300A. Courant: 68A. Propriétés des éléments semi-conducteurs: 'glass passivated'. Raccordement électrique: connexions à souder. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode/diode. Tension de conduction (tension de seuil): 1.46V. Tension inverse maxi: 1.2kV. Type d'élément semi-conducteur: Pont de redressement triphasé à diodes. Type de conditionnement: -...

RF2001T3D

Diode RF2001T3D, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220FN, 350V. IF(AV): 20A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. VRRM: 350V. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: diode à commutation rapide et à récupération rapide. IRM (max): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFMS 100Ap. Structure diélectrique: Cathode commune. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Unité de conditionnement: 50...

RFU20TM5S

Diode RFU20TM5S, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220F, 530V. IF(AV): 20A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 530V. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: -. RoHS: oui. Spec info: Silicon epitaxial planer. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.65V. Trr Diode (Min.): 23 ns...

RG2Y

Diode RG2Y, 1.5A, 50A, DO-15, D2A ( 4.0x7.2mm ), 70V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 0.5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Poids: 0.6g. Quantité par boîtier: 1. Remarque: SAMSUNG. RoHS: oui. Spec info: IFMS 50Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Trr Diode (Min.): 100 ns...

RG4A

Diode RG4A, 2A, 50A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 2V. Trr Diode (Min.): 100us...

RG4C

Diode RG4C, 2A, 60A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 3V. Trr Diode (Min.): 100 ns...

RG4Z

Diode RG4Z, 3A, 80A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 200V. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 100 ns...

RGP02-20E

Diode RGP02-20E, 0.5A, 20A, DO-15, DO-15 ( 2.7x5.2mm ), 2000V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 20A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 2000V. Cj: 5pF. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Trr Diode (Min.): 300 ns...

RGP10D

Diode RGP10D, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: GI, S. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

RGP10G

Diode RGP10G, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

RGP10J

Diode RGP10J, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: GI, S. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 250 ns...

RGP15G

Diode RGP15G, DO-204, DO-204AC, 400V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: 50App/8.3ms...

RGP15J

Diode RGP15J, DO-204, DO-204AC, 600V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: 50App/8.3ms...