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BYT03-400

Diode BYT03-400, 3A, 60A, DO-201, DO-201AD ( 9.5x5.3mm ), 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 16 ns...

BYT08P-1000

Diode BYT08P-1000, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 1000V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Trr Diode (Min.): 65 ns...

BYT28-500

Diode BYT28-500, 5A, 500V. IF(AV): 5A. VRRM: 500V. Double: double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 50A/10ms. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. Tr: 50 ns...

BYT30P-1000

Diode BYT30P-1000, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V. IF(AV): 30A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. IRM (max): 5mA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: partie métallique reliée à la cathode. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Trr Diode (Min.): 70 ns...

BYT52M

Diode BYT52M, 1.4A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 1.4A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Fonction: Diode de redressement et de commutation rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tr: 200 ns...

BYT54M

Diode BYT54M, 1.25A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 1.25A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 30App/10ms...

BYT56G

Diode BYT56G, 3A, 80A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Conditionnement: -. Fonction: Diode de redressement et de commutation très rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): -. Trr Diode (Min.): 100 ns. Unité de conditionnement: 2500...

BYT56M

Diode BYT56M, 3A, 80A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Conditionnement: -. Fonction: Diode de redressement et de commutation très rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Unité de conditionnement: 2500...

BYT79-500

BYV10-40

Diode BYV10-40, 1A, 20A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 20A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 10mA. IRM (min): 0.5mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--20A t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V...

BYV26C

Diode BYV26C, SOD-57 ( Glass ), 1A, 30A, SOD-57 Glass, 600V. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: 'glass passivated'. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 30ns. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de conduction (tension de seuil): 2.5V. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Tension de seuil: 2.5V. Tension inverse maxi: 600V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de diode: diode de redressement...

BYV26C-TAP

BYV26D

Diode BYV26D, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 800V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

BYV26E

Diode BYV26E, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

BYV27-200

BYV27-200-TAP

BYV27-600

Diode BYV27-600, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Fonction: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.07V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. Trr Diode (Min.): 40 ns...

BYV28-200

Diode BYV28-200, SOD-64 ( Glass ), 3.5A, 90A, SOD-64 Glass, 200V. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). IF(AV): 3.5A. IFSM: 90A. Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 90A. Courant: 3.5A. Date de production: 201412. Fonction: 'Avalanche Sinterglass Diode Fast'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: BYV28-200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: 'glass passivated'. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 30ns. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.89V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 200V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Unité de conditionnement: 2500...

BYV28-200-TAP

BYV28-600

Diode BYV28-600, 3.1A, 90A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 600V. IF(AV): 3.1A. IFSM: 90A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Fonction: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.93V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

BYV29-500

Diode BYV29-500, 9A, 100A, TO-220, TO-220AC ( SOD59 ), 500V. IF(AV): 9A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Fonction: commutation rapide. IRM (max): 50uA. IRM (min): 2uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

BYV32-200

Diode BYV32-200, TO220, TO220AB. Boîtier: TO220, TO220AB. Conditionnement: tubus. Courant d'impulsion max.: 150A. Courant: 18A, 2x 18A. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra-rapide. RoHS: oui. Temps de réaction: 25ns. Tension de conduction (tension de seuil): 0.85V. Tension de seuil: 0.85V. Tension inverse maxi: 200V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: tubus. Type de diode: diode de redressement. Épaisseur du dissipateur thermique: 1.14...1.39mm...

BYV32EB-200

Diode BYV32EB-200...

BYV34-400