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BY550-1000

BY550-1000

Diode BY550-1000, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 1000V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Fonction: Silicon Rectifiers. IRM (max): 20uA. IRM (min): 20uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V...

0.22€
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BY550-400

BY550-400

Diode BY550-400, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 400V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. IRM (max): 5uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V...

0.22€
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BY550-600

BY550-600

Diode BY550-600, 5A, 300A, DO-201, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 600V. IF(AV): 5A. IFSM: 300A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. IRM (max): 20uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V...

0.20€
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BY6

BY6

Diode BY6, D7.3x22mm, 1A. Boîtier: D7.3x22mm. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..25uA. Famille de composants: diode de redressement haute tension. Ifsm [A]: 30A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 6 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 6V @ 1A...

2.36€
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BYD33D

BYD33D

Diode BYD33D, 1.3A, 20A, SOD-81, SOD-81, 200V. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. VRRM: 200V. Fonction: 'Fast Soft-Rocovery Rectifier Diode'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V. Trr Diode (Min.): 250 ns...

0.24€
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BYD33J

BYD33J

Diode BYD33J, 1.3A, 20A, SOD-81, SOD-81, 600V. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. VRRM: 600V. Fonction: 'Fast Soft-Rocovery Rectifier Diode'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 20Ap f=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 250 ns...

0.0947€
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Minimum: 10
BYD33M

BYD33M

Diode BYD33M, 1.3A, 20A, SOD-81, SOD-81, 1000V. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. VRRM: 1000V. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 300 ns...

0.65€
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BYP35A6

BYP35A6

Diode BYP35A6, 35A, 400A, 600V. IF(AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Cj: 250pF. Diamètre: 12.75mm. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 1. Poids: 10g. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -50...+215°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 1500 ns...

1.75€
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BYP35K6

BYP35K6

Diode BYP35K6, 35A, 400A, 600V. IF(AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Cj: 250pF. Diamètre: 12.75mm. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 1. Poids: 10g. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -50...+215°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 1500 ns...

2.05€
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BYP60A6

BYP60A6

Diode BYP60A6, 60A, 500A, 600V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Cj: 430pF. Diamètre: 12.75mm. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 1. Poids: 10g. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 1500 ns...

2.23€
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BYP60K6

BYP60K6

Diode BYP60K6, 60A, 500A, 600V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Cj: 430pF. Diamètre: 12.75mm. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 1. Poids: 10g. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 1500 ns...

2.23€
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BYS11-90

BYS11-90

Diode BYS11-90, 1.5A, 30A, DO-214, SMA DO214AC, 90V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Fonction: Diode de redressement Schottky. IRM (max): 1mA. IRM (min): 100uA. Marquage sur le boîtier: BYS109. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Poids: 0.064g. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V...

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