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FR3D

Diode FR3D, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB ( SMC ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 200V. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. Remarque: 100App/10ms. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Trr Diode (Min.): 150 ns...

FR3J

Diode FR3J, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB ( SMC ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 600V. Cj: 60pF. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 500 sn...

FR3M

Diode FR3M, 3A, 100A, DO-214, SMC DO214AB, 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO214AB. VRRM: 1000V. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 500 ns...

FR607

Diode FR607, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 500 ns...

FUF5406

Diode FUF5406, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x5.2mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Fonction: Ultrafast Recovery Rectifier. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

GL1B

Diode GL1B, SOD80, MiniMELF. Boîtier: SOD80, MiniMELF. Courant d'impulsion max.: 27A. Courant: 5A. Montage/installation: SMD. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Tension de conduction (tension de seuil): 1.2V. Tension de seuil: 1.2V. Tension inverse maxi: 100V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de redressement...

GP02-40

Diode GP02-40, 0.25A, 15A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ), 4000V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 15A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 4000V. Cj: 3pF. Fonction: 'High Voltage Glass Passivated Junction Rectifier'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--15App/8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 3V. Trr Diode (Min.): 2us...

HER103

Diode HER103, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Equivalences: HER103G. Fonction: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

HER105

Diode HER105, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Equivalences: HER105G. Fonction: diode de redressement à haut rendement. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

HER108

Diode HER108, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Equivalences: HER108G. Fonction: diode de redressement à haut rendement. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

HER303

Diode HER303, 3A, 150A crête, DO-27, DO-27 (5.6 x 9.5mm), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A crête. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Cj: 70pF. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

HER304

Diode HER304, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 300V. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Poids: 1.1g. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement à haut rendement. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

HER305

Diode HER305, 3A, 150A, DO-27, DO-27 (9.5x5.6mm), 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Poids: 0.4g. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement à haut rendement. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

HER308

Diode HER308, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Poids: 1.1g. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement à haut rendement. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 75 ns...

HER608

Diode HER608, 6A, 150A, R-6, R-6 (8.8x7mm), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 150A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. RoHS: oui. Spec info: 150Ap/8.3ms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Tr: 75 ns...

HFA08SD60S

Diode HFA08SD60S, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. IF(AV): 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Dissipation de puissance maxi: 14W. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Remarque: Ifsm--60Aps...

HFA08TB60

Diode HFA08TB60, 8A, 60A, TO-220, TO-220AC-2, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 60A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 36W. Equivalences: 39.2k Ohms. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marquage sur le boîtier: HFA08TB60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFRM 24A. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Trr Diode (Min.): 18 ns. Unité de conditionnement: 50...

HFA08TB60S

Diode HFA08TB60S, 8A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 600V. IF(AV): 8A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Dissipation de puissance maxi: 36W. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Remarque: Ifsm 60Aps...

HFA15TB60

Diode HFA15TB60, 15A, 50A, TO-220, TO-220AC-2, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 50A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 400uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: HFA15TB60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Unité de conditionnement: 50...

HFA25TB60

Diode HFA25TB60, 25A, 225A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 25A. IFSM: 225A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Equivalences: VS-HFA25TB60-M3. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 600uA. IRM (min): 1.5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--225Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 23 ns...

HFA30PA60C

Diode HFA30PA60C, 30A, 150A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 19 ns. Unité de conditionnement: 25...

HFA50PA60CPBF

LL4148-TSC

Diode LL4148-TSC, 0.2A, 2A, 12.7k Ohms, SOD-80 ( 3.4x1.6mm ), 100V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Fonction: Redresseurs de commutation à haute vitesse. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.62V. Trr Diode (Min.): 4 ns...

LL4448GEG

Diode LL4448GEG, SOD80, MiniMELF. Boîtier: SOD80, MiniMELF. Courant: 450mA. Montage/installation: SMD. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 8ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 100V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...