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BAW56

BAW56

Diode BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cj: 2pF. Courant d'impulsion max.: 2A. Courant: 450mA, 0.3A. Fonction: Ultra High Speed Switching. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Marquage sur le boîtier: A1s. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS A1s. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Structure diélectrique: anode commune. Temps de réaction: 4ns, 6ns. Température: +150°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 70V, 85V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation...

0.0280€
+32379 rapidement
Quantité en stock: 2074
Minimum: 10
BAW56-E3-08

BAW56-E3-08

Diode BAW56-E3-08, SOT-23, TO-236AB, 0.2A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2.5uA..50uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 4.5A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 6 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

0.31€
Quantité en stock: 3079
BAW56LT1G

BAW56LT1G

Diode BAW56LT1G, SOT-23, TO-236AB, 0.25A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. If [A]: 0.25A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30nA..150uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 90V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

0.12€
Quantité en stock: 2514
Minimum: 10
BAW56W

BAW56W

Diode BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V. Boîtier: SOT-323. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 200mA. If [A]: 0.15A. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT323. VRRM: 85V. Cj: 2pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30nA..150uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Ultra High Speed Switching. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Ifsm [A]: 4A. Marquage sur le boîtier: A1. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS A1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Structure diélectrique: anode commune. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 90V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

0.0224€
+1446 rapidement
Quantité en stock: 2527
Minimum: 10
BAX16

BAX16

Diode BAX16, DO-35, 0.2A. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..100uA. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 2. RoHS: non. Température maxi: +200°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 150V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 120ns. [V]: 0.65V @ 1mA...

0.0533€
Quantité en stock: 9017
Minimum: 10
BS890

BS890

Diode BS890, 8A, 155A, DO-201, DO-201AD ( 7.5x5.4mm ), 90V. IF(AV): 8A. IFSM: 155A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Fonction: Diode de redressement à barrière Schottky, sorties axiales. IRM (max): 20mA. IRM (min): 5mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.83V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V...

0.51€
Quantité en stock: 103
BY12

BY12

Diode BY12, 0.5A, 30A, 7.3x22mm, 12000V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Dimensions: 7.3x22mm. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 10V. Trr Diode (Min.): 1500 ns...

3.43€
Quantité en stock: 228
BY133

BY133

Diode BY133, DO-41, DO-204AC, 1A, 30A, 1A, DO-41 ( 2.6x4.8mm ), 1300V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. If [A]: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Courant: 1A, 2A. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 55A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.3 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V, 1.3V. Tension inverse maxi: 1.3kV, 1300V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.3V @ 1A...

0.0284€
+8433 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 2867
Minimum: 10
BY16

BY16

Diode BY16, 0.3A, 0.3A, 30A, 7.3x22mm, 16000V. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 0.3A. If [A]: 0.3A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. VRRM: 16000V. Cj: 1pF. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25uA. Dimensions: 7.3x22mm. Famille de composants: diode de redressement haute tension. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Ifsm [A]: 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 16 kV. Tension de seuil Vf (max): 15V. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 15V @ 0.3A...

4.17€
+839 rapidement
Quantité en stock: 836
BY2000

BY2000

Diode BY2000, DO-201, 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 110A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 3A...

0.63€
Quantité en stock: 412