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BAT54AWT

Diode BAT54AWT...

BAT54C

BAT54C-ME

Diode BAT54C-ME...

BAT54CLT1G

Diode BAT54CLT1G...

BAT54CT

Diode BAT54CT...

BAT54CWT

Diode BAT54CWT...

BAT54C_NL

Diode BAT54C_NL, SOT-23, 0.2A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA. Famille de composants: diode Schottky pour petits signaux, montage CMS. Ifsm [A]: 0.6A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

BAT54HT1G

Diode BAT54HT1G, SOD323. Boîtier: SOD323. Capacité: 7.6pF. Courant d'impulsion max.: 0.6A. Courant: 300mA. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation rapide. Puissance: 200mW. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 5ns. Tension inverse maxi: 30V. Type de diode: diode de redressement Schottky...

BAT54J

Diode BAT54J, SOD-323, SOD323. Boîtier: SOD-323, SOD323. Courant d'impulsion max.: 1A. 600mA. Courant de fuite: 1uA. Courant: 200mA. Montage/installation: SMD. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra-rapide. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Tension de conduction (tension de seuil): 0.8V, 800mV. Tension de seuil: 800mV. Tension inverse maxi: 30V, 40V...

BAT54JFILM

Diode BAT54JFILM, SOD-323, 0.3A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.3A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..100uA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 1A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

BAT54S-215

Diode BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 200mA. If [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 2uA. Ifsm [A]: 0.6A. Marquage sur le boîtier: L44 ou V4. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV. Trr Diode (Min.): 5 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

BAT54SLT1G

Diode BAT54SLT1G, SOT-23, 0.2A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA..2uA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 0.6A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

BAT54ST

Diode BAT54ST...

BAT54SWT

Diode BAT54SWT...

BAT54T

Diode BAT54T...

BAT54W

Diode BAT54W...

BAT54WS

Diode BAT54WS, SOD-323F, 0.2A. Boîtier: SOD-323F. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA..2uA. Famille de composants: Diode Schottky au silicium. Ifsm [A]: 0.6A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

BAT54WT

Diode BAT54WT...

BAT54XV2

Diode BAT54XV2...

BAT54_NL

Diode BAT54_NL, SOT-23, 0.2A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA. Famille de composants: diode Schottky pour petits signaux, montage CMS. Ifsm [A]: 0.6A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA...

BAT60B

Diode BAT60B...

BAT62-03W

Diode BAT62-03W, 20mA, SOD-323, SOD-323, 40V. IF(AV): 20mA. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323. VRRM: 40V. Diode Schottky?: Schottky. Marquage sur le boîtier: -. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Remarque: IFSM 0.75App/10ms...

BAT6202VH6327XTSA1

Diode BAT6202VH6327XTSA1, SC-79, 0.02A. Boîtier: SC-79. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.02A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: diode Schottky pour petits signaux, montage CMS. Ifsm [A]: -. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1V @ 2mA...

BAT64-04

Diode BAT64-04, SOT-23, 0.25A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.25A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA..200uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 0.8A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.43V @ 10mA...