Récepteur IR BPV10NF

Récepteur IR BPV10NF

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Récepteur IR BPV10NF. Angle de diffusion: 40°. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 5nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±20°. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Diamètre: 5mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 2.5 ns. Famille de composants: Photodiode PIN. Largeur extérieure [mm]: 5.75mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 940nm. Longueur extérieure [mm]: 8.6mm. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Sensibilité centrale: 940nm. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2.5 ns. Température maxi: +100°C.. Tension de fermeture Ur[V], max.: 60V. Type de cellule photoélectrique: photodiode IR PIN. Épaisseur extérieure [mm]: 5.75mm. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:33

Documentation technique (PDF)
BPV10NF
22 paramètres
Angle de diffusion
40°
Boîtier
5mm (T-1 3/4)
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]
5nA
Demi-angle de détection δ 1/2 [°]
±20°
Diamètre extérieur [mm]
5mm
Diamètre
5mm
Délai de coupure tf [µsec.]
2.5 ns
Famille de composants
Photodiode PIN
Largeur extérieure [mm]
5.75mm
Longueur d'onde dominante [nm]
940nm
Longueur extérieure [mm]
8.6mm
Montage/installation
THT
Nombre de bornes
2
RoHS
oui
Sensibilité centrale
940nm
Temps d'enclenchement tr [µsec.]
2.5 ns
Température maxi
+100°C.
Tension de fermeture Ur[V], max.
60V
Type de cellule photoélectrique
photodiode IR PIN
Épaisseur extérieure [mm]
5.75mm
Produit d'origine constructeur
Vishay