Diode US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V

Diode US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V

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Diode US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Conditionnement: rouleau. Equivalences: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Unité de conditionnement: 5000. Produit d'origine constructeur: Smc. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 20:52

Documentation technique (PDF)
US1M
21 paramètres
IF(AV)
1A
IFSM
30A
Boîtier (selon fiche technique)
SMA (4.6x2.8 mm)
VRRM
1000V
Conditionnement
rouleau
Equivalences
US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP
Fonction
Ultrafast silicon rectifier diode
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
IFSM--30Ap
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de seuil Vf (max)
1.7V
Tension de seuil Vf (min)
1.7V
Trr Diode (Min.)
75 ns
Unité de conditionnement
5000
Produit d'origine constructeur
Smc
Quantité minimum
10