Diode UF4007, DO-41, 1A, DO-204AC, DO-41, 1A, 1A, 1000V

Diode UF4007, DO-41, 1A, DO-204AC, DO-41, 1A, 1A, 1000V

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10-49
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Diode UF4007, DO-41, 1A, DO-204AC, DO-41, 1A, 1A, 1000V. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. Courant redressé moyen par diode: 1A. If [A]: 1A. VRRM: 1000V. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant de fuite inverse: 10uA / 1000V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Courant: 1A. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Ifsm [A]: 33A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra-rapide. Remarque: GI-S. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Série: UF40. Temps de réaction: 75ns, 100ns. Temps de récupération inverse (max): 75ns. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.7V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Tension de seuil maxi: <1.7V / 1A. Tension de seuil: 1.7V. Tension inverse maxi: 1000V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: THT. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. [V]: 1.7V @ 1A. Produit d'origine constructeur: Mic. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 20:52

Documentation technique (PDF)
UF4007
40 paramètres
Boîtier
DO-41
IF(AV)
1A
Boîtier (norme JEDEC)
DO-204AC
Boîtier (selon fiche technique)
DO-41
Courant redressé moyen par diode
1A
If [A]
1A
VRRM
1000V
Conditionnement
Ammo Pack
Configuration des diodes
indépendant
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant d'impulsion max.
30A
Courant de fuite inverse
10uA / 1000V
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
5uA..50uA
Courant
1A
Famille de composants
Diode de redressement rapide (tr<500ns)
Ifsm [A]
33A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Propriétés des éléments semi-conducteurs
commutation ultra-rapide
Remarque
GI-S
RoHS
oui
Structure semi-conductrice
diode
Série
UF40
Temps de réaction
75ns, 100ns
Temps de récupération inverse (max)
75ns
Température maxi
+175°C.
Tension de conduction (tension de seuil)
1.7V
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
1 kV
Tension de seuil maxi
<1.7V / 1A
Tension de seuil
1.7V
Tension inverse maxi
1000V
Type de conditionnement
Ammo Pack
Type de diode
diode de redressement
Type de montage
THT
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
75 ns
[V]
1.7V @ 1A
Produit d'origine constructeur
Mic
Quantité minimum
10

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