Diode Transil SMBJ36A. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Boîtier: DO-214. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant d'impulsion max.: 10.3A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Courant de fuite: 1uA. Dissipation de puissance maxi: 600W. Dissipation maximale (impulsion) Pp [W] @ t[msec.]: 600W @ 1ms. Famille de composants: Diode transil de suppression des transitoires. Fonction: protection contre les surtensions. IFSM: 100A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: 'glass passivated'. Puissance: 600W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: unidirectionnel. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de claquage: 36V. Tension de maintien du sens de fermeture [V]: 36V. Tension de seuil Vf (max): 5V. Tension de seuil Vf (min): 3.5V. Tension inverse maxi: 36V. Tolérance: 5%. Type de diode: TVS. Type de suppresseur transitoire: unidirectionnel. Ubr [V] @ Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. VRRM: 36V. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:14