Diode Transil SMBJ12A
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Diode Transil SMBJ12A. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Boîtier: DO-214. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12V. Dissipation de puissance maxi: 600W. Dissipation maximale (impulsion) Pp [W] @ t[msec.]: 600W @ 1ms. Famille de composants: Suppresseur unidirectionnel (600W @ 1ms). Composant monté en surface (CMS). Fonction: protection contre les surtensions. IFSM: 100A. Marquage sur le boîtier: LE. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS LE. RoHS: oui. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de claquage: 12V. Tension de maintien du sens de fermeture [V]: 12V. Tension de seuil Vf (max): 5V. Tension de seuil Vf (min): 3.5V. Tolérance: 5%. Type de suppresseur transitoire: unidirectionnel. Ubr [V] @ Ibr [A]: 14.7V @ 1mA. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:14