Diode Transil 1-5KE22A

Diode Transil 1-5KE22A

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.48€
5-24
0.42€
25-49
0.38€
50-99
0.34€
100+
0.29€
+696 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Quantité en stock: 61

Diode Transil 1-5KE22A. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Boîtier: DO-201. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18.8V. Dissipation de puissance maxi: 1.5 kW. Dissipation maximale (impulsion) Pp [W] @ t[msec.]: 1500 W @ 1ms. Fonction: protection contre les surtensions. IFSM: 200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Puissance: 1500W. RoHS: oui. Structure diélectrique: unidirectionnel. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de claquage: 22V. Tension de maintien du sens de fermeture [V]: 18.8V. Tension de seuil Vf (max): 5V. Tension de seuil Vf (min): 3.5V. Type de suppresseur transitoire: unidirectionnel. Ubr [V] @ Ibr [A]: 23.1V @ 1mA. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:18

Documentation technique (PDF)
1-5KE22A
23 paramètres
Boîtier (selon fiche technique)
DO-201 ( 9.0x5.0mm )
Boîtier
DO-201
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 18.8V
Dissipation de puissance maxi
1.5 kW
Dissipation maximale (impulsion) Pp [W] @ t[msec.]
1500 W @ 1ms
Fonction
protection contre les surtensions
IFSM
200A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Puissance
1500W
RoHS
oui
Structure diélectrique
unidirectionnel
Température de fonctionnement
-50...+175°C
Température maxi
+175°C.
Tension de claquage
22V
Tension de maintien du sens de fermeture [V]
18.8V
Tension de seuil Vf (max)
5V
Tension de seuil Vf (min)
3.5V
Type de suppresseur transitoire
unidirectionnel
Ubr [V] @ Ibr [A]
23.1V @ 1mA
Produit d'origine constructeur
Taiwan Semiconductor