Diode Transil 1-5KE18CA

Diode Transil 1-5KE18CA

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Diode Transil 1-5KE18CA. Boîtier: DO-201. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 15.3V. Dissipation de puissance crête: 1500W. Dissipation de puissance maxi: 1.5 kW. Dissipation maximale (impulsion) Pp [W] @ t[msec.]: 1500 W @ 1ms. Fonction: protection contre les surtensions. IFSM: 200A. Information: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Structure diélectrique: bidirectionnel. Structure: bidirectionnel. Série: 1.5KE. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de claquage (Min): 17.1V. Tension de claquage: 18V. Tension de maintien du sens de fermeture [V]: 15.3V. Tension de seuil Vf (max): 5V. Tension de seuil Vf (min): 3.5V. Tension de sécurité inverse: 15.3V. Type de montage: THT. Type de suppresseur transitoire: bidirectionnel. Ubr [V] @ Ibr [A]: 18.9V @ 1mA. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:18

Documentation technique (PDF)
1-5KE18CA
27 paramètres
Boîtier
DO-201
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 15.3V
Dissipation de puissance crête
1500W
Dissipation de puissance maxi
1.5 kW
Dissipation maximale (impulsion) Pp [W] @ t[msec.]
1500 W @ 1ms
Fonction
protection contre les surtensions
IFSM
200A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
RoHS
oui
Structure diélectrique
bidirectionnel
Structure
bidirectionnel
Série
1.5KE
Température de fonctionnement
-50...+175°C
Température maxi
+175°C.
Tension de claquage (Min)
17.1V
Tension de claquage
18V
Tension de maintien du sens de fermeture [V]
15.3V
Tension de seuil Vf (max)
5V
Tension de seuil Vf (min)
3.5V
Tension de sécurité inverse
15.3V
Type de montage
THT
Type de suppresseur transitoire
bidirectionnel
Ubr [V] @ Ibr [A]
18.9V @ 1mA
Produit d'origine constructeur
Taiwan Semiconductor