Diode RGP10D, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 200V

Diode RGP10D, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.17€
5-49
0.14€
50-99
0.12€
100-199
0.11€
200+
0.0782€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 193

Diode RGP10D, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: GI, S. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Produit d'origine constructeur: General Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:27

Documentation technique (PDF)
RGP10D
22 paramètres
IF(AV)
1A
IFSM
30A
Boîtier
DO-204
Boîtier (selon fiche technique)
DO-204AL ( 2.7x5.2mm )
VRRM
200V
Cj
15pF
Fonction
diode de redressement à commutation rapide
IRM (max)
200uA
IRM (min)
5uA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Remarque
GI, S
RoHS
oui
Spec info
IFSM--30Ap t=8.3mS
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Tension de seuil Vf (max)
1.3V
Tension de seuil Vf (min)
1.3V
Trr Diode (Min.)
150 ns
Produit d'origine constructeur
General Semiconductor

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