Diode P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V

Diode P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.31€
5-24
1.11€
25-49
0.99€
50-99
0.92€
100+
0.81€
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Diode P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. Boîtier: R-6. IF(AV): 20A. Courant redressé moyen par diode: 20A. IFSM: 500A. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Configuration des diodes: indépendant. IRM (max): -. IRM (min): 10uA. Information: -. MSL: -. Marquage sur le boîtier: P2000M. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: THT. Produit d'origine constructeur: Diotec Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

P2000M
25 paramètres
Boîtier
R-6
IF(AV)
20A
Courant redressé moyen par diode
20A
IFSM
500A
Boîtier (selon fiche technique)
R-6 ( 8x7.5mm )
VRRM
1000V
Cj
110pF
Configuration des diodes
indépendant
IRM (min)
10uA
Marquage sur le boîtier
P2000M
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)
Structure diélectrique
Anode-cathode
Temps de récupération inverse (max)
1500ns
Température de fonctionnement
-50...+175°C
Tension de seuil Vf (max)
1.1V
Tension de seuil Vf (min)
0.87V
Trr Diode (Min.)
1500 ns
Type de diode
diode de redressement
Type de montage
THT
Produit d'origine constructeur
Diotec Semiconductor