Diode MURS120T3G, DO-214, DO-214AA, 1A, 40A, 1A, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 200V

Diode MURS120T3G, DO-214, DO-214AA, 1A, 40A, 1A, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.21€
5-49
0.18€
50-99
0.15€
100-199
0.14€
200+
0.12€
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Diode MURS120T3G, DO-214, DO-214AA, 1A, 40A, 1A, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 200V. Boîtier: DO-214. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. If [A]: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA...50uA. Diode Tff(25°C): 25 ns. Famille de composants: diode de redressement rapide (tr<500ns). Montage CMS. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. IRM (max): 50uA. IRM (min): 2uA. Ifsm [A]: 40A. Marquage sur le boîtier: U1D. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U1D. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 35 ns. [V]: 0.875V @ 1A. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
MURS120T3G
31 paramètres
Boîtier
DO-214
Boîtier (norme JEDEC)
DO-214AA
IF(AV)
1A
IFSM
40A
If [A]
1A
Boîtier (selon fiche technique)
SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm )
VRRM
200V
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
2uA...50uA
Diode Tff(25°C)
25 ns
Famille de composants
diode de redressement rapide (tr<500ns)
Fonction
Ultrafast Power Rectifiers
IRM (max)
50uA
IRM (min)
2uA
Ifsm [A]
40A
Marquage sur le boîtier
U1D
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Remarque
sérigraphie/code CMS U1D
RoHS
oui
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Température maxi
+175°C.
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
200V
Tension de seuil Vf (max)
0.875V
Tension de seuil Vf (min)
0.71V
Trr Diode (Min.)
35 ns
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
35 ns
[V]
0.875V @ 1A
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor

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