Diode MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V

Diode MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.54€
5-24
0.45€
25-49
0.39€
50-99
0.35€
100+
0.31€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 123

Diode MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Conditionnement: -. Equivalences: MUR1100ERLG. Fonction: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Unité de conditionnement: 1000. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
MUR1100E
20 paramètres
IF(AV)
1A
IFSM
35A
Boîtier
DO-41
Boîtier (selon fiche technique)
DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm )
VRRM
1000V
Equivalences
MUR1100ERLG
Fonction
Ultrafast “E” Series with High Reverse
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
IFSM
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Tension de seuil Vf (max)
1.75V
Tension de seuil Vf (min)
1.5V
Trr Diode (Min.)
75 ns
Unité de conditionnement
1000
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor

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