| Quantité en stock: 94 |
Diode FR607, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V
Quantité
Prix unitaire
1-4
0.36€
5-24
0.32€
25-49
0.28€
50-99
0.25€
100+
0.21€
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| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 2509 |
Diode FR607, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 500 ns. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14
FR607
20 paramètres
IF(AV)
6A
IFSM
200A
Boîtier
DO-201
Boîtier (selon fiche technique)
DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 )
VRRM
1000V
Cj
100pF
IRM (max)
200uA
IRM (min)
10uA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
IFSM--200Ap/8.3mS
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de seuil Vf (max)
1.2V
Tension de seuil Vf (min)
1.2V
Trr Diode (Min.)
500 ns
Produit d'origine constructeur
Taiwan Semiconductor