Diode DSEP60-12AR, 60A, 500A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 1200V

Diode DSEP60-12AR, 60A, 500A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 1200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
14.87€
5-9
13.69€
10-14
12.80€
15-29
12.01€
30+
10.86€
Quantité en stock: 33

Diode DSEP60-12AR, 60A, 500A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 1200V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: boîtier isolé, sans perçage. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 650uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.66V. Tension de seuil Vf (min): 1.74V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Unité de conditionnement: 10. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
DSEP60-12AR
25 paramètres
IF(AV)
60A
IFSM
500A
Boîtier
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Boîtier (selon fiche technique)
ISOPLUS247
VRRM
1200V
Conditionnement
tube en plastique
Configuration
boîtier isolé, sans perçage
Dissipation de puissance maxi
190W
Fonction
Diode 'soft recovery'
IRM (max)
2.5mA
IRM (min)
650uA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
540Ap t=10ms, TVJ=45°C
Structure diélectrique
Anode-cathode
Technologie
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension de seuil Vf (max)
2.66V
Tension de seuil Vf (min)
1.74V
Trr Diode (Min.)
40 ns
Unité de conditionnement
10
Produit d'origine constructeur
IXYS