Diode BAV70, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 215mA, 0.215A, 450mA, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. IF(AV): 215mA. If [A]: 0.215A. IFSM: 450mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Cj: 1.5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant d'impulsion max.: 2A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 150nA..50uA. Courant: 450mA, 0.3A. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Vitesse de commutation rapide. IRM (max): 100uA. IRM (min): 30nA. Ifsm [A]: 1A. Marquage sur le boîtier: A4W. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS A4p_A4t_A4w. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--4A t=1us, 1A t=1ms. Structure diélectrique: Cathode commune. Temps de réaction: 4ns, 6ns. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 70V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 715mV. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 100V, 70V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:15