Diode BAT43, DO-35 ( SOD27 ), 30 v, 0.2A, 0.2A, 4A, 0.2A, DO-35

Diode BAT43, DO-35 ( SOD27 ), 30 v, 0.2A, 0.2A, 4A, 0.2A, DO-35

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Diode BAT43, DO-35 ( SOD27 ), 30 v, 0.2A, 0.2A, 4A, 0.2A, DO-35. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 30 v. IF(AV): 0.2A. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. IFSM: 4A. If [A]: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Cj: 7pF. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 4A. Courant de fuite inverse: 0.5uA / 25V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5uA..100uA. Courant: 500mA, 100mA. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. IRM (max): 100uA. IRM (min): 0.5uA. Ifsm [A]: 4A. Information: -. MSL: n/a. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: BAT4. Temps de réaction: 5ns. Temps de récupération inverse (max): 5ns. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 0.45V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension de seuil Vf (max): 0.46V. Tension de seuil Vf (min): 0.26V. Tension de seuil maxi: <0.33V / 2mA. Tension de seuil: 450mV, 0.45V. Tension inverse maxi: 30V. Trr Diode (Min.): 5 ns. Type de diode: diode de redressement Schottky. Type de montage: THT. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.45V @ 15mA. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 12:18

Documentation technique (PDF)
BAT43
46 paramètres
Boîtier
DO-35 ( SOD27 )
VRRM
30 v
IF(AV)
0.2A
Courant redressé moyen par diode
0.2A
IFSM
4A
If [A]
0.2A
Boîtier (selon fiche technique)
DO-35
Cj
7pF
Configuration des diodes
indépendant
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant d'impulsion max.
4A
Courant de fuite inverse
0.5uA / 25V
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
0.5uA..100uA
Courant
500mA, 100mA
Famille de composants
Diode Schottky pour petits signaux
IRM (max)
100uA
IRM (min)
0.5uA
Ifsm [A]
4A
Matériau semi-conducteur
Sb
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
IFSM--4Ap (t=/10ms)
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Série
BAT4
Temps de réaction
5ns
Temps de récupération inverse (max)
5ns
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de conduction (tension de seuil)
0.45V
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
30 v
Tension de seuil Vf (max)
0.46V
Tension de seuil Vf (min)
0.26V
Tension de seuil maxi
<0.33V / 2mA
Tension de seuil
450mV, 0.45V
Tension inverse maxi
30V
Trr Diode (Min.)
5 ns
Type de diode
diode de redressement Schottky
Type de montage
THT
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
5 ns
[V]
0.45V @ 15mA
Produit d'origine constructeur
Taiwan Semiconductor
Quantité minimum
10

Produits équivalents et/ou accessoires pour BAT43