Diode BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V

Diode BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.35€
5-49
0.26€
50-99
0.22€
100+
0.20€
Quantité en stock: 861

Diode BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V. IF(AV): 250mA. IFSM: 1A. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Conditionnement: rouleau. Fonction: Diode à faible fuite. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: faible courant inverse. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température: +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. Trr Diode (Min.): 1.5us. Unité de conditionnement: 5000. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:45

Documentation technique (PDF)
BAS45A
22 paramètres
IF(AV)
250mA
IFSM
1A
Boîtier
DO-34 ( SOD68 )
Boîtier (selon fiche technique)
DO-34 ( 3.4x1.6mm )
VRRM
125V
Cj
4pF
Conditionnement
rouleau
Fonction
Diode à faible fuite
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Remarque
faible courant inverse
RoHS
oui
Spec info
IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température
+175°C
Tension de seuil Vf (max)
1V
Tension de seuil Vf (min)
0.78V
Trr Diode (Min.)
1.5us
Unité de conditionnement
5000
Produit d'origine constructeur
Nxp Semiconductors