Diode 40HFR80, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V

Diode 40HFR80, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
13.44€
5-19
12.45€
20-39
11.38€
40+
10.71€
Quantité en stock: 11

Diode 40HFR80, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 800V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 800V. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 1. Quantité par boîtier: 1. Remarque: filetage M6. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:24

Documentation technique (PDF)
40HFR80
21 paramètres
IF(AV)
40A
IF(RMS)
62A
IFSM
570A
Boîtier
DO-203AB ( DO-5 )
Boîtier (selon fiche technique)
DO-203AB
VRRM
800V
Fonction
Haute capacité de courant crête
IRM (max)
9mA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
à visser
Nombre de connexions
1
Quantité par boîtier
1
Remarque
filetage M6
RoHS
oui
Spec info
IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)
Structure diélectrique
boîtier relié à l'anode
Température de fonctionnement
-65...+190°C
Tension de seuil Vf (max)
1.5V
Tension de seuil Vf (min)
1.3V
Utilisation
peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires
Produit d'origine constructeur
International Rectifier