Diode 1N5406H, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V

Diode 1N5406H, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0625€
50-99
0.0528€
100-199
0.0463€
200+
0.0396€
Quantité en stock: 278
Minimum: 10

Diode 1N5406H, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: entraxe 15mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 5us. Produit d'origine constructeur: Dc Components Co. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 14:24

Documentation technique (PDF)
1N5406H
22 paramètres
IF(AV)
3A
IFSM
200A
Boîtier
DO-27
Boîtier (selon fiche technique)
DO-27 ( 9.2x5.2mm )
VRRM
600V
Cj
40pF
IRM (max)
500uA
IRM (min)
5uA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Remarque
entraxe 15mm
RoHS
oui
Spec info
IFSM--200Ap t=8.3ms
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Tension de seuil Vf (max)
1.1V
Tension de seuil Vf (min)
1.1V
Trr Diode (Min.)
5us
Produit d'origine constructeur
Dc Components Co
Quantité minimum
10