Diode 1N4148, DO-35 ( SOD27 ), 75V, 0.2A, 200mA, 0.3A, 500mA, DO-35. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 75V. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. IF(AV): 200mA. If [A]: 0.3A. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Autre nom: IN4148. Capacité: 4pF. Cj: 4pF. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 1A. Courant de fuite inverse: 5uA / 75V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..5uA. Courant: 200mA. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Fonction: Diodes haute vitesse. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Ifsm [A]: 2A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: 1N4148. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: 1N4148. Temps de réaction: 4ns. Temps de récupération inverse (max): 4ns. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Tension de seuil maxi: <1.0V / 0.01A. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 75V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation. Type de montage: THT. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA. Produit d'origine constructeur: Div. Quantité minimum: 25. Quantité en stock actualisée le 23/11/2025, 12:29