Diode 1N4003, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 200V

Diode 1N4003, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 200V

Quantité
Prix unitaire
10-19
0.0390€
20-99
0.0300€
100-499
0.0261€
500-999
0.0230€
1000+
0.0193€
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Equivalence disponible
Quantité en stock: 4578
Minimum: 10

Diode 1N4003, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 200V. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 200V. Type de diode: diode de redressement. Produit d'origine constructeur: Lge Technology. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:40

Documentation technique (PDF)
1N4003
26 paramètres
Boîtier
DO-41
IF(AV)
1A
IFSM
30A
Boîtier (selon fiche technique)
DO-41 ( DO-204AL )
VRRM
200V
Cj
15pF
Conditionnement
Ammo Pack
Courant d'impulsion max.
30A
Courant
1A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
IFSM--30Ap t=8.3mS
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Tension de conduction (tension de seuil)
1.1V
Tension de seuil Vf (max)
1.1V
Tension de seuil Vf (min)
1.1V
Tension de seuil
1.1V
Tension inverse maxi
200V
Type de diode
diode de redressement
Produit d'origine constructeur
Lge Technology
Quantité minimum
10

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