Circuit intégré IR2112

Circuit intégré IR2112

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.17€
5-24
2.85€
25-49
2.54€
50+
2.27€
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Circuit intégré IR2112. Boîtier (selon fiche technique): DIP-14. Boîtier: DIP. Classe de tension: 600V. Conditionnement: tubus. Courant de sortie (maxi): 0.2A...0.42A. Courant de sortie: 250mA. -420...200mA. Délai de coupure tf [µsec.]: 105ns, 145ns. Fonction: Demi-pont MOSFET. Montage/installation: THT. Nombre de canaux: 2. Nombre de connexions: 14. Nombre de sorties: 2. Puissance: 1.6W. RoHS: oui. Technologie: MOSFET. Temps de commutation: 125ns, 205ns. Température de fonctionnement: -40...125°C. Tension d'alimentation: 10...20VDC. Tension de sortie: 620V. Type de circuit intégré: high-/low-side switch, gate driver. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:03

Documentation technique (PDF)
IR2112
21 paramètres
Boîtier (selon fiche technique)
DIP-14
Boîtier
DIP
Classe de tension
600V
Conditionnement
tubus
Courant de sortie (maxi)
0.2A...0.42A
Courant de sortie
250mA
Délai de coupure tf [µsec.]
105ns, 145ns
Fonction
Demi-pont MOSFET
Montage/installation
THT
Nombre de canaux
2
Nombre de connexions
14
Nombre de sorties
2
Puissance
1.6W
RoHS
oui
Technologie
MOSFET
Temps de commutation
125ns, 205ns
Température de fonctionnement
-40...125°C
Tension d'alimentation
10...20VDC
Tension de sortie
620V
Type de circuit intégré
high-/low-side switch, gate driver
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies